Ez a hány réteg van egymáson nem egy félrevezető elnevezés? Itt szerintem arról van szó, hogy egykoron egy MOSFET egy bitet tárolt: vagy volt feszültség a lebegő gate-en, ekkor a csatorna vezetett, vagy nem, akkor pedig a csatorna alatta nem vezetett. Aztán kitalálták, hogy ezt lehet analóg módon használni, s például 8 különböző feszültségértéket használva 8 különböző drain-source ellenállást kapunk, amelyet lényegében A/D konvertálni kell, s egyből lesz 3 bit információnk egy MOSFET-ben tárolva. Azaz n feszültségszintet használva log2(n) bitet tudunk tárolni. Viszont n növelésével egyre közelebb kerülnek egymáshoz a szomszédos feszültségszintek, így nő a hibalehetőség.
Szerintem a kisebb gate felület ront a helyzeten, mert csökken a tárolókapacitás. Itt már klasszikus szivárgás nincs, sokkal inkább jön a világűrből egy gamma foton, vezetési sávba löki a szigetelő szilícium-dioxid addig kötött elektronját, így az töltést tud elvinni. Kisebb kapacitás esetén egyetlen elektron sokkal nagyobb súllyal van jelen.