( Hiena | 2021. 05. 07., p – 20:45 )

Azért, mert a FLASH memóriacellában a végtelenségig ki van hajtva a félvezető. Ahhoz, hogy a lebvegő gatebe bele lehessen passzírozni az elektronokat, a gate és darin source között az átütési feszültség közelébe kell vinni a feszültséget (Fowler-Norheim tuneling) vagy akkora áramot kell járatni a DS között, hogy egy-egy elektron átugorjon a lebegő gatebe (elektron injrktálás). Egyik sem tesz jót a gate szigetelésének és a DS átmenetnek. Lehet trükközni a gate szerkezetével, a szigetelő összetételével, de előbb, utóbb megdöglés lesz belőle. Ezért várom, hogy mikor lesz Hall elven működő NVRAM. (Kb.soha)